《微細加工技術》雜志論文投稿要求：
Ⅰ、作者姓名的漢語拼音應姓前名后，姓氏全部字母為大寫，名字的首字母大寫，雙名中間不加連字符不間隔；漢語拼音的作者姓名寫在英文表示的工作單位之前；多位作者的署名之間以逗號隔開；不同單位的作者姓名右上角加注序號。
Ⅱ、來稿摘要應包含正文的目的、主旨、結論。
Ⅲ、編輯部實行稿件三審制，周期三個月。三個月后未接到本刊采用通知，稿件即可自行處理。請自留底稿，因人力與經費有限，來稿一律不退。
Ⅳ、文稿中的小標題請依次使用：一、二、三、……；（一）（二）（三）……；1.2.3.……；（1）（2）（3）……；①②③……。
Ⅴ、參考文獻應依照引用的先后順序標出，根據文獻類型與文獻載體代碼（GB 3469）規定，以單字母方式標識以下各種參考文獻類型。
雜志發文主題分析如下：
| 機構名稱 | 發文量 | 主要研究主題 |
| 中國科學院 | 192 | 光刻；電子束曝光；曝光機；電子束... |
| 上海交通大學 | 129 | 微機電系統；電系統；機電系統；ME... |
| 清華大學 | 60 | 微細；光刻；微細加工；離子束；聚... |
| 中國科學技術大學 | 47 | 刻蝕；離子束；離子束刻蝕；光刻；... |
| 電子工業部 | 46 | 離子注入；注入機；離子注入機；半... |
| 中國科學院微電子研究... | 38 | 光刻；掩模；X射線光刻；電子束曝... |
| 中國科學院長春光學精... | 34 | 光柵；MEMS；刻蝕；光刻；傳感 |
| 山東大學 | 29 | 電子束；電子束曝光；曝光機；電子... |
| 山東工業大學 | 28 | 電子束曝光；曝光機；電子束曝光機... |
| 華中理工大學 | 26 | 刻蝕；濺射；半導體；等離子體；離... |
雜志往期論文摘錄展示
微細工件的高頻群脈沖ECLM試驗研究
基于AFM的多圖層圖形加工
氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制備GaN納米線
基于多種群遺傳算法的膜系優化設計
Al摻雜的ZnO薄膜的XPS譜和光學特性研究
90 nm技術節點硅柵的干法刻蝕工藝研究
硅基鉑鈦夾層AAO多孔模版制備半導體量子線
微細電解加工中工具電極的制備及應用
基于UV-LIGA技術的電磁型射頻MEMS開關的集成制作
雙向橫向熱執行器結構設計
